NCV5703DDR2G

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

NCV5703DDR2G
零件编号:
NCV5703DDR2G
产品分类:
onsemi
描述:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
ROHS状态:
Yes
PDF:
资料

NCV5703DDR2G 规格

零件状态:
Active
安装类型:
Surface Mount
封装 / 外壳:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装:
8-SOIC
工作温度:
-40°C ~ 125°C (TA)
驱动器数量:
2
输入类型:
Inverting
沟道类型:
Single
驱动配置:
High-Side
可编程:
-
栅极类型:
IGBT
电压 - 供电:
30V
逻辑电压 - 低电平输入电压(VIL),高电平输入电压(VIH):
0.75V, 4.3V
上升/下降时间(典型值):
9.2ns, 7.9ns
电流 - 峰值输出(源极,漏极):
7A, 7.2A

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