NCP51313ADR2G

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

NCP51313ADR2G
零件编号:
NCP51313ADR2G
产品分类:
onsemi
描述:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
ROHS状态:
Yes
PDF:
资料

NCP51313ADR2G 规格

零件状态:
Active
安装类型:
Surface Mount
封装 / 外壳:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
等级:
-
认证:
-
栅极类型:
MOSFET (N-Channel)
输入类型:
Non-Inverting
供应商器件封装:
8-SOIC
工作温度:
-40°C ~ 125°C (TJ)
沟道类型:
Single
驱动器数量:
1
驱动配置:
High-Side
可编程:
-
电流 - 峰值输出(源极,漏极):
2A, 3A
上升/下降时间(典型值):
11ns, 10ns
电压 - 供电:
8V ~ 19V
高侧电压 - 最大值(自举):
110 V
逻辑电压 - 低电平输入电压(VIL),高电平输入电压(VIH):
1.3V, 1V

您可能感兴趣的产品