BD2320UEFJ-LAE2
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
BD2320UEFJ-LAE2 规格
零件状态：
Active
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
驱动配置：
Half-Bridge
沟道类型：
Independent
栅极类型：
MOSFET (N-Channel)
输入类型：
Non-Inverting
驱动器数量：
2
封装 / 外壳：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
高侧电压 - 最大值（自举）：
100 V
上升/下降时间（典型值）：
8ns, 6ns
供应商器件封装：
8-HTSOP-J
电压 - 供电：
7.5V ~ 14.5V
逻辑电压 - 低电平输入电压(VIL)，高电平输入电压(VIH)：
1.7V, 1.5V
电流 - 峰值输出（源极，漏极）：
3.5A, 4.5A
