DG1208ETE+T
LOW LEAKAGE, HIGH VOLTAGE 8:1 MU
DG1208ETE+T Specifications
Рабочая температура：
-40°C ~ 85°C
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Surface Mount
Количество схем：
1
Мультиплексор/Демультиплексор Схема：
8:1
Напряжение питания, одиночное (V+)：
-
-3 дБ полоса пропускания：
200MHz
Ток - Утечка (IS(off)) (Макс)：
1nA
Напряжение питания, двойное (V±)：
±5V ~ 20V
Время переключения (Ton, Toff) (Макс.)：
400ns, 400ns
Сопротивление во включенном состоянии (макс.)：
160Ohm
Инжекция заряда：
0.5pC
Перекрестные помехи：
-80dB @ 1MHz
Совпадение между каналами (ΔRon)：
10Ohm
Корпус：
16-WQFN Exposed Pad
Поставщик Устройство Корпус：
16-TQFN (4x4)
Схема переключения：
SP8T - Open
Емкость канала (CS(выкл), CD(выкл))：
4pF, 15pF
