BY25FQ16ESMIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

BY25FQ16ESMIG(R)
Номер детали:
BY25FQ16ESMIG(R)
Категория продукта:
BYTe Semiconductor
Описание:
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Состояние ROHS:
Да

BY25FQ16ESMIG(R) Specifications

Статус детали:
Active
Рабочая температура:
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа:
Surface Mount
Класс:
-
Квалификация:
-
Тип памяти:
Non-Volatile
Напряжение питания:
2.7V ~ 3.6V
Формат памяти:
FLASH
Объем памяти:
16Mbit
Организация памяти:
2M x 8
Технология:
FLASH - NOR
Тактовая частота:
133 MHz
Время доступа:
5 ns
Корпус:
8-UFDFN Exposed Pad
Поставщик Устройство Корпус:
8-USON (2x3)
Интерфейс памяти:
SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Время цикла записи - Слово, Страница:
250µs, 2.4ms

Products You May Be Interested In