BY25D40ESUIG(R)
4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
BY25D40ESUIG(R) Specifications
Статус детали：
Active
Рабочая температура：
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа：
Surface Mount
Класс：
-
Квалификация：
-
Тип памяти：
Non-Volatile
Тактовая частота：
120 MHz
Объем памяти：
4Mbit
Организация памяти：
512K x 8
Напряжение питания：
2.7V ~ 3.6V
Формат памяти：
FLASH
Технология：
FLASH - NOR
Время доступа：
7 ns
Корпус：
8-UFDFN Exposed Pad
Интерфейс памяти：
SPI - Dual I/O
Поставщик Устройство Корпус：
8-USON (2x3)
Время цикла записи - Слово, Страница：
3.6ms
