DG1209ETE+T
LOW LEAKAGE, HIGH VOLTAGE DUEL 4
DG1209ETE+T Specifications
작동 온도：
-40°C ~ 85°C
부품 상태：
Active
회로 수：
2
장착 유형：
Surface Mount
멀티플렉서/디멀티플렉서 회로：
4:1
전압 - 공급, 단일(V+)：
-
전류 - 누설 (IS(off)) (최대)：
1nA
전압 - 공급, 듀얼 (V±)：
±5V ~ 20V
스위칭 시간 (Ton, Toff) (최대)：
400ns, 400ns
온 저항 (최대)：
160Ohm
-3dB 대역폭：
250MHz
전하 주입：
0.5pC
크로스토크：
-80dB @ 1MHz
채널 대 채널 매칭 (ΔRon)：
10Ohm
패키지 / 케이스：
16-WQFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지：
16-TQFN (4x4)
스위치 회로：
SP4T - Open
채널 커패시턴스 (CS(off), CD(off))：
4pF, 15pF
