BY25Q16ESWIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

BY25Q16ESWIG(R)
부품 번호:
BY25Q16ESWIG(R)
제품 분류:
BYTe Semiconductor
설명:
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
ROHS 상태:
예스
PDF:
자료

BY25Q16ESWIG(R) Specifications

부품 상태:
Active
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형:
Surface Mount
등급:
-
자격 인증:
-
메모리 유형:
Non-Volatile
전압 - 공급:
2.7V ~ 3.6V
메모리 포맷:
FLASH
메모리 크기:
16Mbit
메모리 구성:
2M x 8
패키지 / 케이스:
8-WDFN Exposed Pad
기술:
FLASH - NOR
액세스 타임:
7 ns
클럭 주파수:
108 MHz
메모리 인터페이스:
SPI - Quad I/O, QPI
공급업체 장치 패키지:
8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page:
50µs, 2.4ms

Products You May Be Interested In