BY25FQ16ESUIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

BY25FQ16ESUIG(R)
부품 번호:
BY25FQ16ESUIG(R)
제품 분류:
BYTe Semiconductor
설명:
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
ROHS 상태:
예스
PDF:
자료

BY25FQ16ESUIG(R) Specifications

부품 상태:
Active
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형:
Surface Mount
등급:
-
자격 인증:
-
메모리 유형:
Non-Volatile
전압 - 공급:
2.7V ~ 3.6V
메모리 포맷:
FLASH
메모리 크기:
16Mbit
메모리 구성:
2M x 8
기술:
FLASH - NOR
클럭 주파수:
133 MHz
액세스 타임:
5 ns
패키지 / 케이스:
8-UFDFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지:
8-USON (2x3)
메모리 인터페이스:
SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Write Cycle Time - Word, Page:
250µs, 2.4ms

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