BY25D10ASMIG(R)
1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
BY25D10ASMIG(R) Specifications
부품 상태：
Active
작동 온도：
-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형：
Surface Mount
등급：
-
자격 인증：
-
메모리 유형：
Non-Volatile
메모리 크기：
1Mbit
메모리 구성：
128K x 8
전압 - 공급：
2.7V ~ 3.6V
메모리 포맷：
FLASH
기술：
FLASH - NOR
액세스 타임：
7 ns
패키지 / 케이스：
8-UFDFN Exposed Pad
클럭 주파수：
108 MHz
메모리 인터페이스：
SPI - Dual I/O
공급업체 장치 패키지：
8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page：
2.4ms
