BD2320EFJ-LAE2
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
BD2320EFJ-LAE2 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
ディギキー・プログラマブル：
Not Verified
チャネルタイプ：
Independent
ゲートタイプ：
MOSFET (N-Channel)
输入类型：
Non-Inverting
動作温度：
-40°C ~ 125°C (TA)
ドライバ数：
2
パッケージ / ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）：
100 V
立ち上がり/立ち下がり時間（標準）：
8ns, 6ns
駆動構成：
High-Side and Low-Side
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-HTSOP-J
電源電圧：
7.5V ~ 14.5V
ロジック電圧 - VIL、VIH：
1.7V, 1.5V
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）：
3.5A, 4.5A
