NCV51513AAMNTWG

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFNW

NCV51513AAMNTWG
Numéro de pièce :
NCV51513AAMNTWG
Catégorie de produit :
onsemi
Description :
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFNW
Statut ROHS :
Oui
PDF :
Documents

NCV51513AAMNTWG Specifications

Statut de la pièce:
Active
Programmable:
Not Verified
Configuration à entraînement:
Half-Bridge
Type de canal:
Independent
Type de Porte:
MOSFET (N-Channel)
输入类型:
Non-Inverting
Température de fonctionnement:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Grade:
Automotive
Nombre de pilotes:
2
Qualification:
AEC-Q100
Boîtier:
10-VFDFN Exposed Pad
Tension Logique - VIL, VIH:
0.8V, 2.3V
Courant - Crête de sortie (Source, Puits):
2A, 3A
Tension côté haut - Max (Bootstrap):
150 V
Type de montage:
Surface Mount, Wettable Flank
Temps de Montée / Descente (Typ):
7ns, 7ns
Fournisseur Dispositif Emballage:
10-DFNW (3x3)
Tension d'alimentation:
8V ~ 19V

Products You May Be Interested In