NCP51313ADR2G

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

NCP51313ADR2G
Numéro de pièce :
NCP51313ADR2G
Catégorie de produit :
onsemi
Description :
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Statut ROHS :
Oui
PDF :
Documents

NCP51313ADR2G Specifications

Statut de la pièce:
Active
Type de montage:
Surface Mount
Boîtier:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grade:
-
Qualification:
-
Type de Porte:
MOSFET (N-Channel)
输入类型:
Non-Inverting
Fournisseur Dispositif Emballage:
8-SOIC
Température de fonctionnement:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de canal:
Single
Nombre de pilotes:
1
Configuration à entraînement:
High-Side
Programmable:
-
Courant - Crête de sortie (Source, Puits):
2A, 3A
Temps de Montée / Descente (Typ):
11ns, 10ns
Tension d'alimentation:
8V ~ 19V
Tension côté haut - Max (Bootstrap):
110 V
Tension Logique - VIL, VIH:
1.3V, 1V

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