DG1208ETE+T
LOW LEAKAGE, HIGH VOLTAGE 8:1 MU
DG1208ETE+T Specifications
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 85°C
Statut de la pièce：
Active
Type de montage：
Surface Mount
Nombre de circuits：
1
Circuit Multiplexeur/Démultiplexeur：
8:1
Tension d'alimentation, simple (V+)：
-
-3 dB Bande Passante：
200MHz
Courant de fuite (IS(off)) (Max)：
1nA
Tension d'alimentation double (V±)：
±5V ~ 20V
Temps de commutation (Ton, Toff) (Max)：
400ns, 400ns
Résistance à l'état passant (Max)：
160Ohm
Injection de charge：
0.5pC
Diaphonie：
-80dB @ 1MHz
Correspondance de canal à canal (ΔRon)：
10Ohm
Boîtier：
16-WQFN Exposed Pad
Fournisseur Dispositif Emballage：
16-TQFN (4x4)
Circuit de commutation：
SP8T - Open
Capacité de Canal (CS(off), CD(off))：
4pF, 15pF
