BY25FQM512ESWIG(R)
511 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
BY25FQM512ESWIG(R) Specifications
Statut de la pièce：
Active
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
-
Qualification：
-
Type de mémoire：
Non-Volatile
Tension d'alimentation：
2.7V ~ 3.6V
Format de mémoire：
FLASH
Boîtier：
8-WDFN Exposed Pad
Technologie：
FLASH - NOR
Fréquence d'horloge：
166 MHz
Taille de la mémoire：
512Mbit
Organisation de la mémoire：
64M x 8
Temps d'accès：
5 ns
Fournisseur Dispositif Emballage：
8-WSON (5x6)
Interface de mémoire：
SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Temps d'Écriture - Mot, Page：
100µs, 2.4ms
