BY25FQ16ESMIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

BY25FQ16ESMIG(R)
Numéro de pièce :
BY25FQ16ESMIG(R)
Catégorie de produit :
BYTe Semiconductor
Description :
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Statut ROHS :
Oui
PDF :
Documents

BY25FQ16ESMIG(R) Specifications

Statut de la pièce:
Active
Température de fonctionnement:
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:
Surface Mount
Grade:
-
Qualification:
-
Type de mémoire:
Non-Volatile
Tension d'alimentation:
2.7V ~ 3.6V
Format de mémoire:
FLASH
Taille de la mémoire:
16Mbit
Organisation de la mémoire:
2M x 8
Technologie:
FLASH - NOR
Fréquence d'horloge:
133 MHz
Temps d'accès:
5 ns
Boîtier:
8-UFDFN Exposed Pad
Fournisseur Dispositif Emballage:
8-USON (2x3)
Interface de mémoire:
SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Temps d'Écriture - Mot, Page:
250µs, 2.4ms

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