BY25D10ASMIG(R)
1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
BY25D10ASMIG(R) Specifications
Statut de la pièce：
Active
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
-
Qualification：
-
Type de mémoire：
Non-Volatile
Taille de la mémoire：
1Mbit
Organisation de la mémoire：
128K x 8
Tension d'alimentation：
2.7V ~ 3.6V
Format de mémoire：
FLASH
Technologie：
FLASH - NOR
Temps d'accès：
7 ns
Boîtier：
8-UFDFN Exposed Pad
Fréquence d'horloge：
108 MHz
Interface de mémoire：
SPI - Dual I/O
Fournisseur Dispositif Emballage：
8-USON (2x3)
Temps d'Écriture - Mot, Page：
2.4ms
