BD2320UEFJ-LAE2
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
BD2320UEFJ-LAE2 Specifications
Statut de la pièce：
Active
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 125°C
Type de montage：
Surface Mount
Programmable：
Not Verified
Configuration à entraînement：
Half-Bridge
Type de canal：
Independent
Type de Porte：
MOSFET (N-Channel)
输入类型：
Non-Inverting
Nombre de pilotes：
2
Boîtier：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Tension côté haut - Max (Bootstrap)：
100 V
Temps de Montée / Descente (Typ)：
8ns, 6ns
Fournisseur Dispositif Emballage：
8-HTSOP-J
Tension d'alimentation：
7.5V ~ 14.5V
Tension Logique - VIL, VIH：
1.7V, 1.5V
Courant - Crête de sortie (Source, Puits)：
3.5A, 4.5A
