BD2320EFJ-LAE2

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

BD2320EFJ-LAE2
Numéro de pièce :
BD2320EFJ-LAE2
Catégorie de produit :
ROHM Semiconductor
Description :
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Statut ROHS :
Oui
PDF :
-

BD2320EFJ-LAE2 Specifications

Statut de la pièce:
Active
Type de montage:
Surface Mount
Programmable:
Not Verified
Type de canal:
Independent
Type de Porte:
MOSFET (N-Channel)
输入类型:
Non-Inverting
Température de fonctionnement:
-40°C ~ 125°C (TA)
Nombre de pilotes:
2
Boîtier:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Tension côté haut - Max (Bootstrap):
100 V
Temps de Montée / Descente (Typ):
8ns, 6ns
Configuration à entraînement:
High-Side and Low-Side
Fournisseur Dispositif Emballage:
8-HTSOP-J
Tension d'alimentation:
7.5V ~ 14.5V
Tension Logique - VIL, VIH:
1.7V, 1.5V
Courant - Crête de sortie (Source, Puits):
3.5A, 4.5A

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