2EDL8123G3CXTMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VFDFN

2EDL8123G3CXTMA1
Numéro de pièce :
2EDL8123G3CXTMA1
Catégorie de produit :
Infineon Technologies
Description :
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VFDFN
Statut ROHS :
Oui
PDF :
Documents

2EDL8123G3CXTMA1 Specifications

Statut de la pièce:
Active
Type de montage:
Surface Mount
Programmable:
Not Verified
Type de canal:
Independent
Type de Porte:
MOSFET (N-Channel)
输入类型:
Non-Inverting
Température de fonctionnement:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Nombre de pilotes:
2
Tension Logique - VIL, VIH:
-
Boîtier:
10-VFDFN Exposed Pad
Tension côté haut - Max (Bootstrap):
120 V
Courant - Crête de sortie (Source, Puits):
3A, 5A
Tension d'alimentation:
8V ~ 17V
Configuration à entraînement:
High-Side and Low-Side
Temps de Montée / Descente (Typ):
45ns, 45ns
Fournisseur Dispositif Emballage:
PG-VSON-10-4

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