DG1206ETJ+T
LOW LEAKAGE, LOW CAPACITANCE, MU
DG1206ETJ+T Specifications
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 85°C
Estado de la Pieza：
Last Time Buy
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Número de Circuitos：
1
Circuito de Conmutación：
-
Voltaje - Alimentación, Único (V+)：
-
Corriente - Fuga (IS(off)) (Máx)：
1nA
Circuito Multiplexor/Demultiplexor：
16:1
Voltaje - Alimentación, Dual (V±)：
±5V ~ 20V
Tiempo de Conmutación (Ton, Toff) (Máx.)：
400ns, 400ns
Resistencia en Estado de Encendido (Máx.)：
160Ohm
Ancho de banda de -3dB：
150MHz
Inyección de Carga：
0.5pC
Diafonía：
-80dB @ 1MHz
Paquete / Carcasa：
32-WFQFN Exposed Pad
Coincidencia de Canal a Canal (ΔRon)：
10Ohm
Proveedor Dispositivo Paquete：
32-TQFN (5x5)
Capacitancia de Canal (CS(off), CD(off))：
4pF, 15pF
