BY25FQM512ESWIG(R)
511 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
BY25FQM512ESWIG(R) Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Grado：
-
Calificación：
-
Tipo de Memoria：
Non-Volatile
Voltaje - Alimentación：
2.7V ~ 3.6V
Formato de Memoria：
FLASH
Paquete / Carcasa：
8-WDFN Exposed Pad
Tecnología：
FLASH - NOR
Frecuencia de Reloj：
166 MHz
Tamaño de la Memoria：
512Mbit
Organización de la Memoria：
64M x 8
Tiempo de Acceso：
5 ns
Proveedor Dispositivo Paquete：
8-WSON (5x6)
Interfaz de Memoria：
SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página：
100µs, 2.4ms
