BY25FQ16ESMIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

BY25FQ16ESMIG(R)
Número de pieza:
BY25FQ16ESMIG(R)
Clasificación de productos:
BYTe Semiconductor
Descripción:
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Estado de ROHS:

BY25FQ16ESMIG(R) Specifications

Estado de la Pieza:
Active
Temperatura de Operación:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de Montaje:
Surface Mount
Grado:
-
Calificación:
-
Tipo de Memoria:
Non-Volatile
Voltaje - Alimentación:
2.7V ~ 3.6V
Formato de Memoria:
FLASH
Tamaño de la Memoria:
16Mbit
Organización de la Memoria:
2M x 8
Tecnología:
FLASH - NOR
Frecuencia de Reloj:
133 MHz
Tiempo de Acceso:
5 ns
Paquete / Carcasa:
8-UFDFN Exposed Pad
Proveedor Dispositivo Paquete:
8-USON (2x3)
Interfaz de Memoria:
SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página:
250µs, 2.4ms

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