BY25FQ128ELWIG(R)

128 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V),

BY25FQ128ELWIG(R)
Número de pieza:
BY25FQ128ELWIG(R)
Clasificación de productos:
BYTe Semiconductor
Descripción:
128 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V),
Estado de ROHS:

BY25FQ128ELWIG(R) Specifications

Estado de la Pieza:
Active
Temperatura de Operación:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de Montaje:
Surface Mount
Grado:
-
Calificación:
-
Tipo de Memoria:
Non-Volatile
Formato de Memoria:
FLASH
Paquete / Carcasa:
8-WDFN Exposed Pad
Tecnología:
FLASH - NOR
Tamaño de la Memoria:
128Mbit
Frecuencia de Reloj:
133 MHz
Organización de la Memoria:
16M x 8
Tiempo de Acceso:
6 ns
Voltaje - Alimentación:
1.65V ~ 2V
Interfaz de Memoria:
SPI - Quad I/O, QPI
Proveedor Dispositivo Paquete:
8-WSON (5x6)
Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página:
120µs, 2.5ms

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