BY25D10ASMIG(R)
1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
BY25D10ASMIG(R) Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Temperatura de Operación：
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Grado：
-
Calificación：
-
Tipo de Memoria：
Non-Volatile
Tamaño de la Memoria：
1Mbit
Organización de la Memoria：
128K x 8
Voltaje - Alimentación：
2.7V ~ 3.6V
Formato de Memoria：
FLASH
Tecnología：
FLASH - NOR
Tiempo de Acceso：
7 ns
Paquete / Carcasa：
8-UFDFN Exposed Pad
Frecuencia de Reloj：
108 MHz
Interfaz de Memoria：
SPI - Dual I/O
Proveedor Dispositivo Paquete：
8-USON (2x3)
Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página：
2.4ms
