TSB181IDT
HE AMPLIFIERS
TSB181IDT Specifications
حالة القطعة：
Active
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأقصى)：
36 V
نوع التثبيت：
Surface Mount
الحزمة / العلبة：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
المورد الجهاز الحزمة：
8-SO
الصف：
-
التأهيل：
-
عدد الدوائر：
1
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأدنى)：
4 V
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 125°C (TA)
الجهد - إزاحة الإدخال：
25 µV
نوع المضخم：
Chopper (Zero-Drift)
التيار - انحياز الإدخال：
500 pA
منتج كسب عرض النطاق：
3 MHz
التيار - الإخراج / القناة：
27 mA
معدل الانحدار：
1.7V/µs
نوع الإخراج باللغة العربية：
Single Ended, Rail-to-Rail
التيار - الإمداد：
670µA
