STDRIVEG610QTR
HIGH VOLTAGE AND HIGH-SPEED HALF
STDRIVEG610QTR Specifications
حالة القطعة：
Active
الصف：
-
التأهيل：
-
التكوين المدعوم：
Half-Bridge
نوع القناة：
Independent
输入类型为阿拉伯文：
Non-Inverting
عدد السائقين：
2
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد)：
600 V
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 150°C (TJ)
ديجي كي القابلة للبرمجة：
-
نوع التثبيت：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع البوابة：
GaN FET
الحزمة / العلبة：
18-TFQFN
المورد الجهاز الحزمة：
18-QFN (4x5)
الجهد - التغذية：
7.5V ~ 20V
الجهد المنطقي - VIL, VIH：
2V
التيار - ذروة الإخراج (المصدر، المصرف)：
1A, 2.4A
وقت الارتفاع / الانخفاض (النموذجي)：
22ns, 11ns
