NGD4300DD-Q100J
NGD4300DD-Q100/SOT8063/HSO8
NGD4300DD-Q100J Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
التكوين المدعوم：
Half-Bridge
نوع القناة：
Independent
نوع البوابة：
MOSFET (N-Channel)
输入类型为阿拉伯文：
Non-Inverting
الصف：
Automotive
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 125°C (TA)
عدد السائقين：
2
الجهد المنطقي - VIL, VIH：
-
التأهيل：
AEC-Q100
ديجي كي القابلة للبرمجة：
-
الحزمة / العلبة：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد)：
120 V
المورد الجهاز الحزمة：
8-HSO
الجهد - التغذية：
8V ~ 17V
وقت الارتفاع / الانخفاض (النموذجي)：
4ns, 3.5ns
التيار - ذروة الإخراج (المصدر، المصرف)：
4A, 5A
