NCV51513AAMNTWG
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFNW
NCV51513AAMNTWG Specifications
حالة القطعة：
Active
ديجي كي القابلة للبرمجة：
Not Verified
التكوين المدعوم：
Half-Bridge
نوع القناة：
Independent
نوع البوابة：
MOSFET (N-Channel)
输入类型为阿拉伯文：
Non-Inverting
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 125°C (TJ)
الصف：
Automotive
عدد السائقين：
2
التأهيل：
AEC-Q100
الحزمة / العلبة：
10-VFDFN Exposed Pad
الجهد المنطقي - VIL, VIH：
0.8V, 2.3V
التيار - ذروة الإخراج (المصدر، المصرف)：
2A, 3A
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد)：
150 V
نوع التثبيت：
Surface Mount, Wettable Flank
وقت الارتفاع / الانخفاض (النموذجي)：
7ns, 7ns
المورد الجهاز الحزمة：
10-DFNW (3x3)
الجهد - التغذية：
8V ~ 19V
