MPQ1922GV-AEC1-P
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 22QFN
MPQ1922GV-AEC1-P Specifications
حالة القطعة：
Active
وقت الارتفاع / الانخفاض (النموذجي)：
-
نوع التثبيت：
Surface Mount
ديجي كي القابلة للبرمجة：
Not Verified
التكوين المدعوم：
Half-Bridge
نوع القناة：
Independent
نوع البوابة：
MOSFET (N-Channel)
输入类型为阿拉伯文：
Non-Inverting
عدد السائقين：
2
الجهد المنطقي - VIL, VIH：
0.8V, 2.2V
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 165°C (TJ)
التيار - ذروة الإخراج (المصدر، المصرف)：
3A, 4A
الحزمة / العلبة：
22-VFQFN Exposed Pad
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد)：
115 V
الجهد - التغذية：
0V ~ 100V
المورد الجهاز الحزمة：
22-QFN (4x5)
