MP1918GQE-P
100V, HIGH-FREQUENCY, HALF-BRIDG
MP1918GQE-P Specifications
الجهد - التغذية：
4.5V ~ 5.5V
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
الصف：
-
التأهيل：
-
التكوين المدعوم：
Half-Bridge
نوع القناة：
Independent
نوع البوابة：
MOSFET (N-Channel)
输入类型为阿拉伯文：
Non-Inverting
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 125°C (TJ)
عدد السائقين：
2
ديجي كي القابلة للبرمجة：
-
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد)：
100 V
الحزمة / العلبة：
14-PowerVFQFN
المورد الجهاز الحزمة：
14-QFN (3x3)
الجهد المنطقي - VIL, VIH：
1.6V, 1.7V
التيار - ذروة الإخراج (المصدر، المصرف)：
1.6A, 5A
وقت الارتفاع / الانخفاض (النموذجي)：
5ns, 3ns
