BY25Q256ESWIG(R)
256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
BY25Q256ESWIG(R) Specifications
حالة القطعة：
Active
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 85°C (TA)
نوع التثبيت：
Surface Mount
الصف：
-
التأهيل：
-
نوع الذاكرة：
Non-Volatile
تردد الساعة：
100 MHz
حجم الذاكرة：
256Mbit
تنظيم الذاكرة：
32M x 8
الجهد - التغذية：
2.7V ~ 3.6V
تنسيق الذاكرة：
FLASH
الحزمة / العلبة：
8-WDFN Exposed Pad
تكنولوجيا：
FLASH - NOR
وقت الوصول：
7 ns
المورد الجهاز الحزمة：
8-WSON (5x6)
واجهة الذاكرة：
SPI - Quad I/O, QPI, DTR
وقت دورة الكتابة - كلمة، صفحة：
50µs, 2.4ms
