BY25FQ16ESMIG(R)
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
BY25FQ16ESMIG(R) Specifications
حالة القطعة：
Active
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 85°C (TA)
نوع التثبيت：
Surface Mount
الصف：
-
التأهيل：
-
نوع الذاكرة：
Non-Volatile
الجهد - التغذية：
2.7V ~ 3.6V
تنسيق الذاكرة：
FLASH
حجم الذاكرة：
16Mbit
تنظيم الذاكرة：
2M x 8
تكنولوجيا：
FLASH - NOR
تردد الساعة：
133 MHz
وقت الوصول：
5 ns
الحزمة / العلبة：
8-UFDFN Exposed Pad
المورد الجهاز الحزمة：
8-USON (2x3)
واجهة الذاكرة：
SPI - Quad I/O, QPI, DTR
وقت دورة الكتابة - كلمة، صفحة：
250µs, 2.4ms
