BY25FQ128ELWIG(R)
128 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V),
BY25FQ128ELWIG(R) Specifications
حالة القطعة：
Active
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 85°C (TA)
نوع التثبيت：
Surface Mount
الصف：
-
التأهيل：
-
نوع الذاكرة：
Non-Volatile
تنسيق الذاكرة：
FLASH
الحزمة / العلبة：
8-WDFN Exposed Pad
تكنولوجيا：
FLASH - NOR
حجم الذاكرة：
128Mbit
تردد الساعة：
133 MHz
تنظيم الذاكرة：
16M x 8
وقت الوصول：
6 ns
الجهد - التغذية：
1.65V ~ 2V
واجهة الذاكرة：
SPI - Quad I/O, QPI
المورد الجهاز الحزمة：
8-WSON (5x6)
وقت دورة الكتابة - كلمة، صفحة：
120µs, 2.5ms
