BY25D40ESUIG(R)
4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
BY25D40ESUIG(R) Specifications
حالة القطعة：
Active
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 85°C (TA)
نوع التثبيت：
Surface Mount
الصف：
-
التأهيل：
-
نوع الذاكرة：
Non-Volatile
تردد الساعة：
120 MHz
حجم الذاكرة：
4Mbit
تنظيم الذاكرة：
512K x 8
الجهد - التغذية：
2.7V ~ 3.6V
تنسيق الذاكرة：
FLASH
تكنولوجيا：
FLASH - NOR
وقت الوصول：
7 ns
الحزمة / العلبة：
8-UFDFN Exposed Pad
واجهة الذاكرة：
SPI - Dual I/O
المورد الجهاز الحزمة：
8-USON (2x3)
وقت دورة الكتابة - كلمة، صفحة：
3.6ms
