2ED2778S01GXTMA1
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE VSON-10
2ED2778S01GXTMA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
الصف：
-
التأهيل：
-
التكوين المدعوم：
Half-Bridge
نوع القناة：
Independent
نوع البوابة：
MOSFET (N-Channel)
الجهد المنطقي - VIL, VIH：
0.8V, 2V
输入类型为阿拉伯文：
Non-Inverting
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 125°C (TA)
عدد السائقين：
2
الجهد - التغذية：
7V ~ 18V
ديجي كي القابلة للبرمجة：
-
الحزمة / العلبة：
10-VFDFN Exposed Pad
التيار - ذروة الإخراج (المصدر، المصرف)：
4A, 8A
وقت الارتفاع / الانخفاض (النموذجي)：
24ns, 12ns
المورد الجهاز الحزمة：
PG-VSON-10-5
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد)：
140 V
