1ED2147S65FXUMA1
1ED2147S65FXUMA1
1ED2147S65FXUMA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
الحزمة / العلبة：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
الصف：
-
التأهيل：
-
输入类型为阿拉伯文：
Non-Inverting
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 125°C (TJ)
نوع القناة：
Single
عدد السائقين：
1
الجهد المنطقي - VIL, VIH：
0.8V, 2.4V
التكوين المدعوم：
High-Side
ديجي كي القابلة للبرمجة：
-
التيار - ذروة الإخراج (المصدر، المصرف)：
4A, 4A
المورد الجهاز الحزمة：
PG-DSO-8
وقت الارتفاع / الانخفاض (النموذجي)：
12ns, 12ns
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد)：
650 V
نوع البوابة：
SiC MOSFET
الجهد - التغذية：
7.2V ~ 22V
